Principium generationis energiae solaris

Sol in iuncturam PN semiconductoris lucet, novum par foraminis et electronis formans. Sub actione campi electrici iuncturae PN, foramen a regione P ad regionem N fluit, et electron a regione N ad regionem P fluit. Cum circuitus coniungitur, fluxus electricus formatur. Ita cellulae solares effectus photoelectrici operantur.

Generatio energiae solaris Duo generationis energiae solaris sunt, unus est modus conversionis lucis-caloris-electricitatis, alter est modus conversionis directae lucis-electricitatis.

(1) Methodus conversionis lucis-caloris-electricitatis energiam thermalem a radiatione solari generatam ad electricitatem generandam adhibet. Generaliter, energia thermalis absorpta in vaporem medii operantis a collectore solari convertitur, deinde turbina vaporis ad electricitatem generandam impellitur. Prior processus est processus conversionis lucis-caloris; posterior processus est processus conversionis caloris-electricitatis.

(2) Effectus photoelectricus adhibetur ad convertendam energiam radiationis solaris directe in energiam electricam. Instrumentum fundamentale conversionis photoelectricae est cellula solaris. Cellula solaris est instrumentum quod energiam lucis solaris directe in energiam electricam convertit propter effectum photogenerationis volt. Est photodiodus semiconductor. Cum sol in photodiodum lucet, photodiodus energiam lucis solaris in energiam electricam mutat et currentem generat. Cum multae cellulae in serie vel parallele connexae sunt, ordo quadratus cellularum solarium cum potentia emissa relative magna formari potest.

In praesenti, silicium crystallinum (polysilicon et silicium monocrystallinum inclusis) est materia photovoltaica maximi momenti, cuius portio mercatus plus quam 90% est, et in futuro per longum tempus adhuc erit materia principalis cellularum solarium.

Diu technologia productionis materiarum polysiliconicarum a decem officinis septem societatum in tribus terris, velut Civitatibus Foederatis Americae, Iaponia et Germania, regitur, obsidionem technologicam et monopolium mercatus efficientes.

Polysiliconis postulatio praecipue a semiconductoribus et cellulis solaris oritur. Secundum varias puritatis necessitates, in gradum electronicum et gradum solarem dividuntur. Inter haec, polysilicon electronici gradus circiter 55%, polysilicon solaris gradus 45% constituit.

Cum celeriter industriae photovoltaicae incrementum habeat, postulatio polysiliconis in cellulis solaribus celerius quam progressus polysiliconis semiconductoris crescit, et expectatur ut postulatio polysiliconis solaris postulationem polysiliconis gradus electronici ante annum 2008 superet.

Anno MCMXCIV, tota productio cellularum solarium in mundo tantum 69 MW erat, sed anno MMIV prope 1200 MW erat, quod incrementum septemdecim vicibus intra decem annos tantum factum est. Periti praedicunt industriam photovoltaicam solarem vim nuclearem superaturam esse ut una ex fontibus energiae fundamentalis maximi momenti in prima dimidia parte saeculi XXI.